院士專家

王曦

  
王曦,1966年8月出生,上海人,1987年畢業于清華大學,1990年和1993年在中國科學院上海冶金研究所獲得材料物理碩士和博士學位,研究員,博士生導師,2009年當選為中國科學院院士。

1993年-1994年為上海微系統所助理研究員,其中1993年7月-1994年5月赴澳大利亞聯邦科學與工業研究院訪問學者。1994年-2004年歷任上海微系統所副研究員、室副主任、研究員、室主任、所長助理,其中1996年5月-1998年6月作為“洪堡”學者赴德國羅森多夫研究中心訪問研究,回國后任中國科學院離子束開發研究實驗室主任。1998年獲國務院頒發的政府特殊津貼,1999年獲國家杰出青年科學基金。2004年4月起任上海微系統所黨委副書記兼副所長。2007年1月起任上海微系統所黨委書記兼副所長,國家中長期科學與技術發展規劃“極大規模集成電路制造技術及成套工藝”科技重大專項總體專家組副組長,上海新傲科技股份有限公司董事長。2009年3月起任上海微系統所黨委書記、常務副所長,法定代表人。2010年8月當選為第十一屆全國青年聯合會副主席。2010年7月起任上海微系統所所長。中共十八大代表。

王曦同志自參加工作以來一直致力于載能粒子束與固體相互作用物理現象的研究,研究興趣覆蓋先進電子材料和功能薄層材料的研究與開發以及表面工程等,主持完成了包括國家“863”計劃“超大規模集成電路配套材料”重大專項項目在內的多個國家級項目。他將研究成果應用于先進電子材料的人工合成,取得了一系列重要創新性研究成果,在Applied Physics Letters等國際學術刊物發表論文100余篇,多次在國際學術會議上做邀請報告,并被選為該領域重要國際會議IBMM中國區唯一國際委員。尤其是在新一代硅基先進電子材料絕緣體上硅(SOI)領域,王曦領銜的研究團隊在國內處于最領先地位,他創辦的上海新傲科技股份有限公司成為繼美國、日本和法國后全球第四個最重要的SOI材料研發中心。2008年制備出我國第一片8英寸鍵合SOI晶片,實現了SOI晶片制備技術的重要突破,

2006年王曦主持的“高端硅基SOI材料研究和產業化”項目獲得國家科技進步一等獎,項目研究團隊獲得2007年中國科學院科技成就獎,2008年度“何梁何利基金科學與技術進步獎”。

已培養博士后2名,博士生4名,碩士生4名,現有博士生4名,碩士生1名。學術兼職:中國材料研究學會青年委員會、上海市半導體材料專業委員會主任,上海市真空學會等常務理事,復旦大學、山东11选5上海原子核研究所、山东11选5上海微系統與信息技術研究所以及山东11选5上海硅酸鹽研究所等四個重點實驗室學術委員會委員,國際Bohmische Scientific Members,美國Journal of Vacuum Science and Technology、中國《科學通報》等雜志評審委員。