研究室簡介

實驗室前身為1985年成立的山东11选5離子束開放實驗室,歷經30余年努力,突破了4-8英寸SOI硅片和12英寸大硅片關鍵技術并實現產業化,實驗室將進一步開展硅基二維...

研究方向
  • 高端硅基材料

    高端硅基材料研究方向起源于1985年成立的山东11选5離子束開放實驗室,最初主要集中在絕緣體上硅(SOI)材料相關研究領域,先后承擔863、973等多項國家攻關項目。...

  • 硅基光電子

    硅基光電子方向,通過建設200mm硅光子專用工藝平臺,在硅基襯底上實現片上光源、高速電光調制器、高速探測器、無源光子回路等關鍵器件,開展SOI材料在光電子...

  • 極端微電子

    極端微電子學面向集成電路國際學術前沿問題和國家集成電路產業發展的重大需求,聚焦各種極端環境下的芯片應用,著力開展高性能高可靠集成電路工藝與設計平臺...

科研裝備
導師信息